如何加快光耦继电器的开关时间！-先进光半导体

　　在上一篇有关光耦继电器的博客文章中，我们讨论了如何为应用选择正确的电容器。现在我们继续切换时间。

　　最小化开启时间

　　在某些情况下，开启时间至关重要，电路设计者必须找到方法来减少从施加LED正向电流到关闭MOSFET栅极所需的时间。通常，更高的LED电流将导致更快的开关时间。另一方面，它会增加功耗，降低LED的寿命。因此，理想的做法是先增大LED正向电流进行开关操作，然后再减小。这个操作可以使用图中的电路来完成。

　　当电路处于关闭状态时，电容器C上没有电压降。一旦一个控制信号被应用，电容器作为一个短路引起高涌流限制仅由RI通过LED。在电容器C充电后，它起到开路的作用；因此RI和RF决定LED电流。根据前面的示例，RI+RF的**值=714W

　　例如，为了加快接通时间，我们可以将中频电流从5mA增加到20mA。图3中20mA和85oC下的VF值为1.11V

　　因此，应为RI选择150W的标准电阻值。现在RF的值可以确定如下：

　　这将产生560W的标准电阻器。

　　假设与以前相同的标准，5%的公差和250ppm/oC的温度系数，560W的射频不能再保证在整个温度范围内安全运行。

　　确保安全运行

　　此值高于RFmax。因此，射频必须降低到下一个较低的标准值470W，以确保整个温度范围内的安全运行。下一步是确定电容器C值。RC电路的时间常数是将电容器充电到一定水平所需的时间量。在一个时间常数之后，电容器将被充电到施加电压的63%。计算电容器C值可作如下假设：时间常数t=RIxC应等于**通电时间t=2xt的两倍，**通电时间为2ms

　　因此，应在该电路中使用标准值C=22mF，以确保**接通时间小于2ms。

　　如果您对如何优化PhotoMOS的开启时间有任何疑问，请使用评论部分。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。