大功率光耦继电器的优点！-先进光半导体

    典型的光耦继电器由以下几部分组成：输入LED光耦合到光电二极管阵列（PDA）控制电路和两个用作输出的功率MOSFET设备。当LED工作时，PDA会转换将光转化为电流和电压，从而驱动电源输出上的MOSFET。

    中间控制电路是负责安全可靠地打开和关闭一旦达到一定的触发电流，输出MOSFET。MOSFET依次形成反向串联连接，从而使它们可以同时切换直流和交流。光耦继电器的优点光耦继电器完全由半导体材料制成而且没有活动部件，因此特别适合适用于需要担心包装尺寸，功率的应用消耗或操作速度。

    在机械继电器中，通过闭合产生的动能触点会导致操作的触点反弹。这导致触点中断和典型的电弧现象。波动的接触电阻和电磁电路可能是噪音。光电继电器，另一方面手，保证无弹跳操作，并且不受电磁干扰（EMI）。此外，机械EMR中的零件对开关施加了自然限制速度：关闭触点需要2到3毫秒。

    光耦继电器另一方面，不受这些限制–他们可以切换远低于1毫秒。光耦继电器内部没有活动部件继电器还具有更好的抗冲击和抗振动能力超过1000克对于EMR，此限制已达到30g。尽管光耦继电器并非完全不受损坏，可靠的切换几乎可以无限期扩展在中等温度和额定范围内运行时结温。同样，不会发生机械磨损，进一步延长了光耦继电器的开关寿命。这种类型的半导体继电器的物理特性也允许高达5000VAC的异常高的隔离电压，而可比的信号继电器在2000VAC时达到其极限。

    如光耦继电器不必担心**电弧与之相比，开关电压增加了十倍以上EMR，从200V到2000V以上。由于它们可以切换两个AC和直流电，它们特别灵活。光耦继电器还具有以下优势：能耗和包装尺寸。因为LED所需的低输入电流，功耗大约10mW是标准配置。特别敏感的产品低于5mW的功率也可用于指定应用。虽然EMR仅在DIP中出现，但光耦继电器可以降到VSSOP甚至TSON封装以实现低电流设备–当电路板空间有限时，这是一个很大的优势。

    具有增加的耗尽区的这种销型PDA减少了pn结的电容。结果，它可以产生比标准pn二极管更大的电流相同数量的光。直到饱和发生为止，电流与光的入射呈线性关系。然而，需要几个光电二极管才能达到阈值电压MOSFET栅极的在标准的光耦继电器中，十五单个单元格（每个1mm×1mm）合并为一个单元PDA达到全导通所需的8V和2。5μAMOSFET的。控制电路光耦继电器内部控制电路的主要功能继电器是为了避免中间或线性工作状态输出MOSFET，尽可能地模仿两者EMR的运行状态。

    该控制电路包括一个并联的常开晶体管（驱动晶体管）输出MOSFET的栅极-漏极电容。电阻器串联连接到常开的MOSFET的栅极晶体管。通过这种构造，栅极电压直到积累了足够的电流，才会达到阈值达到饱和，仅当LED输入电流达到一定水平时（LED输入电流）将切换MOSFET。一个常数在输出MOSFET的栅极施加7。5V电压，使它们保持饱和状态。一旦不再有电流由PDA产生，晶体管将返回到导通状态，快速降低栅极电压并关闭不到一毫秒的MOSFET。