MOS管发热的问题以及原因！-先进光半导体

    MOS管发热是电路中常见的问题，经常困扰着我们，接下来小编总结出了几个MOS管发热的问题及原因：

    MOS管发热的原因：

    1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。

    2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

    3.电流太高，没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于**电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

    4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

    我用34063做降压方案，然后用MOS管作为扩流管，输入12v-?

    MOS管不饱和，压降高。原因可能是MOS管驱动问题，要加个中间级。振荡频率过低。储能电感偏小或漏感大。

    为什么我的BUCK电路中MOSFET发热非常严重？

    MOS发烫肯定是功率损耗在上面了。原因是未工作于开关状态。

    查一查MOS驱动，驱动电流够不够，电压够不够

    另外，D1不要用1N4007，**用速度更快的开关二极管，如SK34等楼主我认为发热是正常的MOSFET的漏极和源级有压降为Vds这个电压乘以漏极电流就会产生功率消耗所以会发热希望能帮到楼主mos发热就是因为电流过大，1V的电压下电流已经快1A了，换mos管吧为什么输出没有接电容进行储能滤波？？

    一般TV电源中烧MOSFET有哪些原因

    不管是什么电源，MOS管烧坏只有3个原因：过压，过流，过热。

    R&D设计产品时都会考虑MOSFET的工作环镜，可以从轻载到满载去调试过流点，从低压到高压去调试过压点，长期老么去调试过温。

    上点就炸的就要考虑电压环及电流环是否开环等！

    一会再炸的就要考虑过温的原因了，比如MOS高频损耗、变压器损耗、散热等!

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